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- 型号： IRF231
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF231由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF231价格参考。HarrisIRF231封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF231参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF231 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF231 是 International Rectifier（现属英飞凌）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-204AA（TO-3）金属封装，额定参数为：VDS = 250 V，ID（连续）≈ 9.5 A（Tc=25°C），RDS(on) ≈ 0.3 Ω，具备较高耐压与中等电流能力，且具有较优的开关速度和雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 工业控制电源：如线性稳压器的调整管、DC-DC 变换器中的高压侧开关（尤其在非同步拓扑中）； ✅ 电机驱动电路：适用于中小功率直流电机（≤200 W）、继电器/电磁阀驱动等感性负载开关，利用其强抗冲击与雪崩能力保障可靠性； ✅ 照明电子镇流器：用于荧光灯或 HID 灯的高频逆变电路，承担半桥或单端开关功能； ✅ UPS 与备用电源系统：作为电池切换、逆变输出级开关元件； ✅ 老式音频功放输出级（较少见但存在）：因其SOA（安全工作区）较宽，曾用于AB类模拟功放的输出级。 需注意：IRF231 属于早期平面工艺器件，导通电阻与开关损耗高于现代沟槽型MOSFET（如IRF系列后期型号），故不推荐用于高频（>100 kHz）、高效率或空间受限场合；设计时须重视散热（TO-3封装需良好散热器）及栅极驱动保护（防振荡与过压）。目前已停产，多用于维修替换或对成本/兼容性要求高的传统设备中。
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