Datasheet下载- 型号： IPW60R280C6
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R280C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW60R280C6价格参考。InfineonIPW60R280C6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPW60R280C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPW60R280C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW60R280C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、280mΩ增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，专为高效率、高功率密度开关应用优化。其典型应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于AC-DC PFC（功率因数校正）电路及LLC谐振变换器的主开关管，凭借低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关损耗平衡（Qg×Rds(on)优值），显著提升整机效率（达96%+）并减小散热需求。 - 工业电源与UPS系统：适用于中大功率（1–3kW级）不间断电源、可编程电源及电机驱动前端整流/逆变环节，在高频（65–150kHz）工作下仍保持低温升与高可靠性。 - 新能源领域：在光伏组串式逆变器的DC-DC升压级或储能系统双向DC-DC变换器中，发挥其快速体二极管（soft-recovery）、低反向恢复电荷（Qrr）优势，降低EMI并提升系统鲁棒性。 - 家电与高端照明：如变频空调PFC模块、大功率LED驱动电源等，兼顾能效（符合80 PLUS Titanium/ERP Tier 2）、体积与成本要求。 该器件采用TO-247封装，支持硬开关与软开关拓扑，配合英飞凌驱动IC（如1EDN/1EDS系列）可实现最优动态性能。其C6技术在Eoss、Qg和dv/dt耐受性方面较前代显著改善，适用于对效率、热管理及长期可靠性要求严苛的工业级应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247MOSFET COOL MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.8 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW60R280C6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a |
| 产品型号 | IPW60R280C6 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 43 nC |
| Qg-栅极电荷 | 43 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 430µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW60R280C6FKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.8A （Tc） |
| 系列 | IPW60R280 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPW60R280C6FKSA1 SP000645032 |
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