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- 型号： IPW50R280CE
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW50R280CE由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW50R280CE价格参考。InfineonIPW50R280CE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPW50R280CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPW50R280CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW50R280CE 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V CoolMOS™ CE系列超结N沟道功率MOSFET，典型导通电阻RDS(on)为280mΩ（标称值），采用TO-247封装。其主要应用场景集中在中高功率、高效率开关电源系统中： 1. 服务器与通信电源：用于AC-DC整流级（PFC电路）及LLC谐振变换器的主开关，凭借低开关损耗与优异的硬换向鲁棒性，提升能效并满足80 PLUS Titanium/Platinum标准。 2. 工业电源与UPS：适用于1–3kW级不间断电源、可编程电源及电机驱动前端DC链路开关，支持高频（65–150kHz）工作，减小磁性元件体积。 3. 光伏逆变器：在组串式逆变器的DC-DC升压级或单相逆变桥中，利用其低Qg和优化体二极管特性，降低EMI并提升反向恢复可靠性。 4. 家电与EV充电设备：如高端变频空调PFC模块、车载OBC（车载充电机）的高压DC-DC转换级，兼顾效率、热管理与长期可靠性。 该器件集成增强型体二极管，具备良好的dv/dt耐受性与雪崩能力，适合硬开关与软开关拓扑；配合英飞凌驱动IC（如1ED系列）可进一步优化动态性能。需注意PCB布局与散热设计（推荐使用厚铜层+散热器），以充分发挥其温升优势（Tj≤150°C连续工作）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247MOSFET 500V 280 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPX50R280CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW50R280CECoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007https://www.infineon.com/dgdl/IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7 |
| 产品型号 | IPW50R280CE |
| Pd-PowerDissipation | 92 W |
| Pd-功率耗散 | 92 W |
| Qg-GateCharge | 32.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 350µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 773pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 4.2A，13V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW50R280CEFKSA1 |
| 功率-最大值 | 92W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 系列 | IPW50R280 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPW50R280CEFKSA1 SP000850804 |
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