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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 30A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD10N03LA_Rev1.8_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429c7dc41f4 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPU10N03LA |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1358pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.4 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | P-TO251-3 |
| 其它名称 | SP000014984 |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |