Datasheet下载- 型号： IPS060N03LGAKMA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPS060N03LGAKMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPS060N03LGAKMA1价格参考。InfineonIPS060N03LGAKMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPS060N03LGAKMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPS060N03LGAKMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IPS060N03LGAKMA1 是一款采用 OptiMOS™ 技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）及优化的开关性能。其封装为 TO-263-7（D²PAK-7）带裸露焊盘，支持优异热管理。 典型应用场景包括： ✅ 车载电源系统：用于汽车车身控制模块（BCM）、LED 车灯驱动、电动座椅/车窗电机驱动等中等功率负载开关；符合 AEC-Q101 认证，具备高可靠性与抗扰能力。 ✅ 工业电源与电机控制：适用于 12–24 V 输入的 DC-DC 同步整流、BLDC 电机驱动半桥/全桥下管、PLC 输出级开关等。 ✅ 服务器与通信电源：在 48 V 输入的中间总线转换器（IBC）、POL（Point-of-Load）模块中用作高效同步整流开关。 ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主回路开关或预充电控制，得益于低 RDS(on) 和快速开关特性，可降低导通损耗与温升。 该器件集成稳健的体二极管，具备雪崩耐受能力（UIS rated），并支持 100% IAS 测试，适合需高鲁棒性的严苛环境。注意设计时需配合合适栅极驱动（推荐 VGS = 10 V 全增强）与 PCB 散热布局，以发挥最佳性能。
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