Datasheet下载- 型号： IPP80N06S2-09
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP80N06S2-09由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP80N06S2-09价格参考。InfineonIPP80N06S2-09封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP80N06S2-09参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP80N06S2-09 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP80N06S2-09 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有80A连续漏极电流（ID）、60V耐压（VDS）和极低导通电阻（RDS(on)典型值仅9.5mΩ @ VGS=10V），具备优异的开关性能与热稳定性。 该器件广泛应用于中高功率、高效率的电力电子系统中，典型应用场景包括： - 汽车电子：车载DC-DC转换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、冷却风扇、燃油泵控制）、车身控制模块（BCM）中的负载开关； - 工业电源：服务器/通信电源的同步整流、次级侧开关、UPS逆变器输出级、工业电机驱动H桥中的高低边开关； - 消费类与家电：大功率开关电源（SMPS）、变频空调压缩机驱动、电磁炉主开关、电动工具电池保护与功率切换； - 可再生能源：光伏微型逆变器、储能系统（ESS）中的充放电开关与隔离控制。 其低RDS(on)和优化的栅极电荷（Qg≈130nC）兼顾导通损耗与开关损耗，适合高频（数十kHz至百kHz级）硬开关应用；内置体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于续流与同步整流场景。需注意合理设计PCB布局、散热（建议加装散热器）及驱动电路（推荐12–15V栅极驱动电压以确保充分导通）。 综上，IPP80N06S2-09是面向高可靠性、高效率中功率开关需求的成熟优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B80N06S2-09_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b4333ec35ad0 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP80N06S2-09OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B80N06S2-09_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b4333ec35ad0 |
| 产品型号 | IPP80N06S2-09 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 125µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP80N06S209AKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | IPP80N06S2 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPP80N06S209AKSA1 SP000218740 |
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