【未分类_IPP50R520CPXKSA1】封装/厂家_IPP50R520CPXKSA1中文资料_价格

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型号： IPP50R520CPXKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R520CPXKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50R520CPXKSA1价格参考。InfineonIPP50R520CPXKSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPP50R520CPXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP50R520CPXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP50R520CPXKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列超结N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其典型导通电阻Rds(on)为520mΩ（标称值），具备低开关损耗、优异的体二极管反向恢复特性及高dv/dt耐受能力。

该器件主要面向中高功率、高效率开关电源应用，典型应用场景包括：  
✅ 服务器与通信电源中的LLC谐振变换器、有源钳位正激或反激主开关；  
✅ 工业AC-DC电源、可编程电源（PSU）及UPS系统中的PFC（功率因数校正）升压开关；  
✅ 家电变频驱动（如空调压缩机、冰箱变频模块）中的DC-AC逆变桥臂上管；  
✅ 太阳能微型逆变器和储能系统（ESS）中的DC-DC隔离变换级；  
✅ 电动工具、无人机充电器等对效率与热性能要求较高的紧凑型适配器。

其CoolMOS™ C7技术显著降低开关损耗（Eoss小、Qg低），配合优化的栅极电荷特性，支持更高开关频率（可达100–300 kHz），利于减小磁性元件体积并提升功率密度。同时具备良好的雪崩耐量与长期可靠性，适用于工业级工作温度范围（-40°C 至 +150°C）。

注：实际选型需结合具体电路拓扑、散热条件及驱动设计进行热仿真与EMI评估。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	7.1 A
Id-连续漏极电流	7.1 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP50R520CPXKSA1
产品型号	IPP50R520CPXKSA1
Pd-PowerDissipation	66 W
Pd-功率耗散	66 W
Qg-GateCharge	13 nC
Qg-栅极电荷	13 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	520 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	520 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	550 V
Vds-漏源极击穿电压	550 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	14 ns
下降时间	17 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	80 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
系列	IPP50R520
配置	Single
零件号别名	SP000680944