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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPP50R399CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R399CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50R399CP价格参考。InfineonIPP50R399CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP50R399CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP50R399CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP50R399CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET，导通电阻RDS(on)典型值为399mΩ（@VGS=10V），具备低开关损耗、优异的硬换流鲁棒性及高dv/dt耐受能力。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器（如LLC谐振转换器、准谐振反激），得益于C7技术的高效率与高频率工作能力（可达100–300kHz）。 ✅ 光伏逆变器：适用于组串式逆变器的DC/AC升压级与H桥输出级，支持高效MPPT跟踪与可靠高温运行。 ✅ 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变环节中提供快速开关响应与低导通损耗，提升整机能效与可靠性。 ✅ 工业电机驱动与变频器：用于中小功率（通常≤2kW）伺服驱动、风机/泵类变频控制的逆变桥臂，兼顾动态性能与热稳定性。 ✅ 电动汽车车载充电机（OBC）：作为AC/DC与DC/DC级核心开关器件，满足高功率密度与AEC-Q101车规兼容性要求（该型号为工业级，但C7平台广泛衍生车规型号）。 该器件采用TO-220封装，散热性能良好，配合优化栅极驱动可实现软开关设计，显著降低EMI。适用于对效率、可靠性及紧凑设计有较高要求的中高功率电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 560V 9A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP50R399CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42db6a248cf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP50R399CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 330µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 399 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP50R399CPHKSA1 |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 560V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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