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产品简介:
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IPP50R350CPXKSA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET,采用PG-TO220封装。其典型导通电阻Rds(on)为350mΩ(标称值),具备低开关损耗、优异的硬换流鲁棒性及增强的体二极管性能。 该器件主要面向中高功率、高效率开关电源应用,典型应用场景包括: ✅ 服务器与通信电源:用于AC-DC整流级(PFC升压电路)及LLC谐振变换器的主开关,提升能效并满足80 PLUS Titanium/Platinum标准; ✅ 工业电源与UPS系统:在高频、宽负载范围内提供稳定可靠开关性能,支持紧凑型散热设计; ✅ 太阳能逆变器:适用于组串式逆变器的DC-DC升压级或辅助电源模块,兼顾效率与可靠性; ✅ 电机驱动与家电变频模块:如高端空调、变频洗衣机中的开关电源供电单元(SMPS)或栅极驱动电源; ✅ LED路灯及商用照明电源:满足高可靠性、长寿命及宽温域(-55℃~+150℃)工作要求。 其CoolMOS™ C7技术显著降低Qg与Eoss,支持更高开关频率(>100 kHz),减小磁性元件体积;同时具备出色的dv/dt抗扰性与雪崩耐量(UIS额定),提升系统鲁棒性。需配合优化PCB布局与门极驱动(推荐12–15V驱动电压)以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP50R350CPXKSA1 |
| 产品型号 | IPP50R350CPXKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 350 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 系列 | IPP50R350 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000680940 |