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产品简介:
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IPP50CN10NGXKSA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO247封装,具有100V耐压、50A连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(RDS(on)典型值仅10.5mΩ)及优化的体二极管特性。其主要应用场景包括: 1. 汽车电子系统:广泛用于12V/24V车载电源管理,如车身控制模块(BCM)、车灯LED驱动、电机控制(如风扇、雨刮、座椅调节)、启动/停止系统中的高边/低边开关,符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 2. 工业电源与电机驱动:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、伺服驱动器及中小功率变频器,尤其适合高频硬开关或同步整流应用,得益于其快速开关特性和低开关损耗。 3. 可再生能源设备:在光伏逆变器辅助电源、储能系统(ESS)的电池管理单元(BMS)中用作充放电开关或隔离器件。 4. 消费类与商用设备:用于高端UPS、电动工具、家电(如变频空调压缩机驱动、洗衣机主控板)等需高效率、高可靠性的中功率开关场合。 该器件集成优质硅基技术与稳健的雪崩耐量(UIS),支持高脉冲电流和热稳定性,适配主流栅极驱动方案,便于设计紧凑、高效、可靠的功率系统。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP50CN10NGXKSA1 |
| 产品型号 | IPP50CN10NGXKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 44 W |
| Pd-功率耗散 | 44 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 系列 | IPP50CN10 |
| 配置 | Single |