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  • 型号: IPP50CN10NGXKSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50CN10NGXKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50CN10NGXKSA1价格参考。InfineonIPP50CN10NGXKSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP50CN10NGXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP50CN10NGXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP50CN10NGXKSA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO247封装,具有100V耐压、50A连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(RDS(on)典型值仅10.5mΩ)及优化的体二极管特性。其主要应用场景包括:

1. 汽车电子系统:广泛用于12V/24V车载电源管理,如车身控制模块(BCM)、车灯LED驱动、电机控制(如风扇、雨刮、座椅调节)、启动/停止系统中的高边/低边开关,符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。

2. 工业电源与电机驱动:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、伺服驱动器及中小功率变频器,尤其适合高频硬开关或同步整流应用,得益于其快速开关特性和低开关损耗。

3. 可再生能源设备:在光伏逆变器辅助电源、储能系统(ESS)的电池管理单元(BMS)中用作充放电开关或隔离器件。

4. 消费类与商用设备:用于高端UPS、电动工具、家电(如变频空调压缩机驱动、洗衣机主控板)等需高效率、高可靠性的中功率开关场合。

该器件集成优质硅基技术与稳健的雪崩耐量(UIS),支持高脉冲电流和热稳定性,适配主流栅极驱动方案,便于设计紧凑、高效、可靠的功率系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

MOSFET

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP50CN10NGXKSA1

产品型号

IPP50CN10NGXKSA1

Pd-PowerDissipation

44 W

Pd-功率耗散

44 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

38 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

38 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4 ns

下降时间

3 ns

产品种类

MOSFET

商标

Infineon Technologies

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

正向跨导-最小值

21 S

系列

IPP50CN10

配置

Single

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