【未分类_IPP114N12N3G】封装/厂家_IPP114N12N3G中文资料_价格

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型号： IPP114N12N3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP114N12N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP114N12N3G价格参考。InfineonIPP114N12N3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPP114N12N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP114N12N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP114N12N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 3技术，具有120V耐压、114A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.8 mΩ），并集成优化体二极管，具备优异的开关性能与抗雪崩能力。

其典型应用场景包括：  
- 汽车电子：用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、冷却风扇、水泵控制）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的高压侧/低压侧开关；  
- 工业电源：高频开关电源（SMPS）、服务器/通信设备的同步整流、UPS逆变器输出级及工业电机驱动中的半桥/全桥功率级；  
- 可再生能源：光伏微型逆变器、储能系统（ESS）中的直流侧开关与隔离式DC-DC变换模块；  
- 消费类高可靠性设备：高端电动工具、无人机电调（ESC）等对效率、热管理与瞬态响应要求严苛的应用。

该器件采用PG-TO220-3-1封装，具备良好散热性与装配兼容性，支持高密度PCB布局。其低Qg与Coss参数显著降低开关损耗，配合120V额定电压，特别适用于48V–96V母线系统（如轻混动汽车、数据中心48V供电架构），兼顾安全裕量与能效优势。

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