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- 型号： IPP084N06L3GXK
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP084N06L3GXK由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP084N06L3GXK价格参考。InfineonIPP084N06L3GXK封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP084N06L3GXK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP084N06L3GXK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP084N06L3GXK 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的低导通电阻（RDS(on) ≈ 8.4 mΩ @ VGS=10V）、60V耐压的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO220-3-1封装，具备OptiMOS™ 3代技术优势。其典型应用场景包括： • 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信电源及工业电源的同步整流、主开关或OR-ing电路，凭借低RDS(on)和快速开关特性提升效率与功率密度； • 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动器、电动工具、风扇/泵控制器中的H桥下管或单相驱动开关； • 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护板的充放电路径控制（如充电MOSFET或负载开关），支持大电流（ID连续达90A）与过流/短路保护响应； • LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中作PWM调光开关或初级侧开关； • 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：该型号为工业级，非车规；若需车规应用应选用同系列车规型号如IPB084N06L3，需确认具体认证版本），但常被用于车载充电器、DC-DC模块等非安全关键场景。 该器件具有低栅极电荷（Qg≈51 nC）、强雪崩耐受能力及优化的体二极管反向恢复性能，适合高频（数十kHz至数百kHz）、高效率、紧凑型设计需求。
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