Datasheet下载- 型号： IPI65R099C6XKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R099C6XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R099C6XKSA1价格参考。InfineonIPI65R099C6XKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI65R099C6XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI65R099C6XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI65R099C6XKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、99mΩ（典型值）增强型CoolMOS™ C6系列高压超级结MOSFET，采用TO-220封装。其主要应用场景聚焦于高效率、高功率密度的开关电源系统： 广泛用于服务器与通信设备的AC-DC电源（如LLC谐振变换器、有源钳位反激、PFC升压电路），凭借低导通电阻（RDS(on)）和优化的Eoss/Qg比值，显著降低开关与导通损耗，提升整机能效（满足80 PLUS Titanium/Platinum标准）； 适用于工业电源、UPS不间断电源及光伏逆变器中的DC-DC隔离变换级或辅助电源，具备良好的dv/dt抗扰性与雪崩耐受能力，确保系统在过压、短路等异常工况下稳定可靠； 亦见于高功率LED驱动电源、充电桩辅助电源模块及家电变频控制（如空调PFC级），兼顾高频（可达300kHz以上）工作能力与热稳定性。 该器件不适用于线性放大或低频大电流直驱场景，其设计核心优势在于硬开关与软开关拓扑中兼顾效率、EMI性能与系统成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 38A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA65R099C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043341f67a1013440dbd0a55019 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI65R099C6XKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1.2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2780pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 127nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 12.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
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