图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI60R165CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI60R165CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI60R165CP价格参考。InfineonIPI60R165CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI60R165CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI60R165CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI60R165CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、165mΩ CoolMOS™ CP系列高压超级结N沟道功率MOSFET单管（注：需澄清——该型号实为单管，非阵列；Infineon官方数据手册明确标注其为“Single N-Channel”器件。分类中误标为“阵列”属常见平台归类偏差，实际无内置多芯片阵列结构）。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器/通信电源、工业电源的PFC（功率因数校正）级和主DC-DC变换器，凭借低导通电阻（RDS(on)）与优化的Eoss实现高效率与高频（65–100 kHz）运行； ✅ 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：适用于DC-AC升压及逆变桥臂，兼顾高电压耐受性与快速开关能力，降低开关损耗； ✅ 电机驱动与工业控制：在中小功率变频器、伺服驱动模块中作为高频开关元件，支持紧凑型散热设计； ✅ LED路灯及高压恒流驱动电源：满足宽输入电压（如300–400V DC母线）下的可靠开关需求。 该器件采用TO-220FP封装（全塑封、隔离底板），具备良好热性能与电气隔离性，适合对安全间距和散热有要求的工业环境。需注意：虽常被误归为“阵列”，但IPI60R165CP为单通道器件，若需双管方案（如半桥），须外置搭配驱动与匹配设计。应用时建议配合英飞凌专用驱动IC（如1ED系列）并优化PCB布局以抑制EMI。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI60R165CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 790µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 165 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI60R165CPAKSA1 |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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