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  • 型号: IPI600N25N3G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI600N25N3G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI600N25N3G价格参考。InfineonIPI600N25N3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI600N25N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI600N25N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPI600N25N3G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO263-3封装(即D²PAK),具备低导通电阻(RDS(on) ≈ 2.5 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 60 A,TC = 25°C)及优异的开关性能与雪崩耐量。

其典型应用场景包括:  
✅ 工业电机驱动:用于变频器、伺服驱动器和泵/风机控制中的逆变桥臂下管或同步整流;  
✅ 开关电源(SMPS):适用于大功率通信电源、服务器PSU、UPS中的主开关管或同步整流管,提升效率与功率密度;  
✅ DC-DC转换器:在车载OBC(车载充电机)、电池管理系统(BMS)或光伏储能系统的升压/降压级中承担高频开关任务;  
✅ 电动工具与家电:如无刷直流(BLDC)电机控制器中的功率开关,支持高脉冲电流与快速响应;  
✅ 汽车电子(非安全关键类):符合AEC-Q101标准,可用于车身控制模块、辅助加热系统等12V/24V车载电源应用。

该器件集成优化体二极管,具备低反向恢复电荷(Qrr),可减少开关损耗与EMI,配合英飞凌驱动IC(如1ED系列)可实现高效可靠设计。需注意PCB散热设计与栅极驱动稳定性,以充分发挥其性能优势。
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