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- 型号： IPI144N12N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI144N12N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI144N12N3G价格参考。InfineonIPI144N12N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI144N12N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI144N12N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI144N12N3G 是英飞凌（Infineon）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 3技术，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.4 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 144 A）和120 V耐压，封装为TO-220（带绝缘片）或PG-TO220-3-1（具体以型号后缀为准）。 其典型应用场景包括： ✅ 工业电源与服务器电源：用于同步整流、DC-DC转换器（如POL模块、VRM）及AC-DC一次侧/二次侧开关，提升效率与功率密度； ✅ 电机驱动系统：适用于中小功率BLDC电机控制器（如风扇、泵、电动工具）的H桥或三相逆变桥臂，支持高频PWM（≤100 kHz）与快速开关； ✅ 新能源设备：在光伏微型逆变器、储能系统（ESS）的DC耦合模块中承担高效能量转换与保护开关功能； ✅ 汽车电子（非车载）：符合AEC-Q101可靠性标准（需确认具体版本），可用于车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动、12V/48V混合供电系统等严苛环境应用。 该器件具备强雪崩耐受能力、低栅极电荷（Qg ≈ 95 nC）和优化的体二极管特性，利于降低开关损耗与EMI，适合高可靠性、高效率要求的中大功率开关场景。使用时建议配合合理驱动设计（如负压关断）与热管理（PCB铜箔散热或散热器）。
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