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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI100N04S3-03
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI100N04S3-03由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI100N04S3-03价格参考。InfineonIPI100N04S3-03封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI100N04S3-03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI100N04S3-03 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI100N04S3-03 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装，具有100A连续漏极电流（ID）、40V耐压（VDSS）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.0mΩ @ VGS=10V），并集成优化的体二极管，具备快速开关与强抗雪崩能力。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电动座椅/车窗驱动、LED前照灯调光控制、电池管理系统（BMS）中的充放电开关及负载断开保护；符合AEC-Q101认证，满足车规级可靠性要求。 ✅ 工业电源与电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动的半桥/全桥下管、伺服驱动器功率级、工业开关电源（如通信电源、服务器PSU）的同步整流或主开关。 ✅ 消费类高效率设备：如大功率USB PD快充适配器、电动工具电池包保护板、无人机电调（ESC）等对导通损耗和热性能敏感的应用。 该器件凭借低RDS(on)与优异的SOA（安全工作区）特性，在高频（≤100kHz）、中高电流场景下可显著降低导通与开关损耗，提升系统能效与功率密度，并简化散热设计。需配合合适栅极驱动（推荐驱动电压10–15V）及PCB布局以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I100N04S3-03_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba0e8457f |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI100N04S3-03 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI100N04S303AKSA1 |
| 功率-最大值 | 214W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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