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- 型号： IPI072N10N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI072N10N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI072N10N3G价格参考。InfineonIPI072N10N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI072N10N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI072N10N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI072N10N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能增强型N沟道功率MOSFET，采用S3O8封装（顶部散热），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 7.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 100 A）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： - 车载电源系统：广泛用于汽车电子中的DC-DC转换器（如48V/12V双向BUCK-BOOST）、车载充电机（OBC）次级同步整流、电机驱动预驱级等，满足AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗瞬态电压能力。 - 工业电机控制：适用于中小功率变频驱动（如风机、泵类）、伺服驱动器的H桥输出级或电源模块，得益于低开关损耗与优异热性能，提升系统效率与功率密度。 - 服务器与通信电源：在高密度AC-DC电源、POL（负载点）转换器中用作同步整流管或主开关管，支持高频（>100 kHz）高效工作，配合英飞凌驱动IC可实现快速开关与低EMI。 - 电池管理系统（BMS）：用于主动均衡电路或高压电池包的充放电主回路开关，凭借低RDS(on)减少发热，提升能效与安全性。 该器件集成优质氮化镓兼容栅极设计（实际为硅基CoolMOS™技术演进），支持10 V标准驱动，无需负压关断，简化外围电路。其坚固的雪崩耐量（UIS额定值高）和过温保护兼容性，使其适用于严苛工况下的高可靠性电源应用。
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