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  • 型号: IPB80N04S306ATMA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB80N04S306ATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB80N04S306ATMA1价格参考。InfineonIPB80N04S306ATMA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB80N04S306ATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB80N04S306ATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPB80N04S306ATMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO263-7-1封装(即D²PAK-7),具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 5.4 mΩ @ VGS=10V)、高电流能力(ID = 80 A,TC=25°C)及优化的开关特性。其典型应用场景包括:

- 汽车电子:广泛用于车载DC-DC转换器、电动助力转向(EPS)、车身控制模块(BCM)、LED前照灯驱动及48V轻混系统(如BSG电机控制),满足AEC-Q101车规认证,具备高可靠性与抗干扰能力;  
- 工业电源:适用于服务器/通信电源中的同步整流、OR-ing FET、热插拔电路及工业变频器的半桥/全桥输出级;  
- 消费类与家电:用于高端电磁炉、变频空调压缩机驱动、大功率快充适配器(如PD 100W+)的主开关管;  
- 电机驱动:在无刷直流(BLDC)电机控制器中作为高效功率级开关,支持高频PWM调制(可达100 kHz以上),降低开关损耗。

该器件集成源极感应引脚(Kelvin source),可实现更精准的电流检测与驱动优化,提升系统效率与稳定性。综合其低RDS(on)、强雪崩耐受能力(UIS rated)及车规级品质,特别适合对效率、功率密度和长期可靠性要求严苛的中高功率开关应用。
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