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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB65R099C6ATMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB65R099C6ATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB65R099C6ATMA1价格参考。InfineonIPB65R099C6ATMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB65R099C6ATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB65R099C6ATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPB65R099C6ATMA1是一款650V、99mΩ的CoolMOS™ C6系列功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于高效率、高功率密度的电源系统中，适合需要低导通损耗与开关损耗平衡的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：适用于笔记本电脑、手机等便携设备的高效能电源适配器，支持高效率设计，有助于实现小型化和高功率密度。 2. 服务器与电信电源系统：用于服务器电源供应器（PSU）和通信设备中的DC-DC转换器，具备高可靠性和高效率，满足数据中心对能效和散热管理的严格要求。 3. 工业电源与变频器：适用于工业电机控制、UPS（不间断电源）和变频器系统，提供稳定高效的功率转换性能。 4. LED照明系统：用于高功率LED驱动电源，支持高功率因数校正（PFC）电路，提高照明系统的整体效率。 5. 电池充电与储能系统：在电池管理系统（BMS）及储能逆变器中，用于高效电能转换与管理。 该MOSFET采用TOLL（PG-TOLL）封装，具备优良的热性能和高电流承载能力，适用于高频率开关应用，有助于提升系统效率并减少散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA65R099C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043341f67a1013440dbd0a55019 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB65R099C6ATMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1.2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2780pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 127nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 12.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263 |
| 其它名称 | IPB65R099C6ATMA1DKR |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
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