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- 型号： IPB230N06L3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB230N06L3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB230N06L3G价格参考。InfineonIPB230N06L3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB230N06L3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB230N06L3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB230N06L3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.3 mΩ @ VGS=10V）、60V耐压的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-7（D²PAK-7）封装，具备优异的开关性能与热稳定性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于48V轻混动力系统（MHEV）中的DC-DC转换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、水泵/油泵控制）、电池管理系统（BMS）的主动均衡与充放电开关；符合AEC-Q101车规认证，支持高可靠性与宽温工作（-55°C ~ 175°C结温）。 - 工业电源与服务器电源：适用于高效同步整流、OR-ing二极管替代、热插拔电路及通信电源中的次级侧开关，凭借低RDS(on)和优化的Qg/Qoss参数，显著降低导通与开关损耗。 - 电动工具与无人机电调（ESC）：作为主功率开关，驱动无刷直流（BLDC）电机，支持高频PWM控制与快速响应。 该器件集成稳健的体二极管，具备抗雪崩能力（UIS rated），并优化了EMI特性，适合高密度、高效率、高可靠性的中大功率（数十至百瓦级）开关应用。
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