Datasheet下载- 型号： IPB180N03S4L-H0
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB180N03S4L-H0由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB180N03S4L-H0价格参考。InfineonIPB180N03S4L-H0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB180N03S4L-H0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB180N03S4L-H0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3MOSFET N-Channel 30V MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB180N03S4L-H0OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB180N03S4L-H0_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304324fc7f9a01252090cadb4332 |
| 产品型号 | IPB180N03S4L-H0 |
| Pd-PowerDissipation | 188 W |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| Qg-GateCharge | 135 nC |
| Qg-栅极电荷 | 135 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 41 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 23000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 0.95 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-3 |
| 其它名称 | IPB180N03S4LH0ATMA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 封装/箱体 | D2PAK-6 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 180 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180A （Tc） |
| 系列 | IPB180N03 |
| 零件号别名 | IPB180N03S4LH0ATMA1 SP000555050 |
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