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- 型号： IPB093N04LG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB093N04LG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB093N04LG价格参考。InfineonIPB093N04LG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB093N04LG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB093N04LG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB093N04LG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅9.3 mΩ @ VGS=10V）、快速开关特性及优异的热性能，封装为PG-TO263-7（D²PAK-7）。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动及48V轻混系统（如启停电源管理），满足AEC-Q101车规认证要求； ✅ 工业电源：适用于高效率服务器PSU、通信电源、工业电机驱动中的同步整流与高频PWM开关； ✅ 消费类与计算设备：用于笔记本电脑适配器、USB PD快充方案、GPU/CPU供电VRM（电压调节模块）中的上/下管； ✅ 可再生能源：在微型逆变器、储能系统（ESS）的DC侧开关与电池保护电路中提供高效、可靠切换。 该器件支持100%额定电流ID=100A（TC=25°C），具备强抗雪崩能力与短路耐受时间（tsc≈3μs），适合高功率密度、高可靠性设计。需配合优化的PCB布局与驱动电路（如匹配栅极电阻、避免振荡）以发挥最佳性能。
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