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- 型号： IPB04N03LAG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB04N03LAG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB04N03LAG价格参考。InfineonIPB04N03LAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB04N03LAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB04N03LAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB04N03LAG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.1 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动、电机控制（如风扇、雨刮、座椅调节等）及DC-DC转换器，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准； - 工业电源与电机驱动：适用于开关电源（SMPS）、UPS、变频器、BLDC电机驱动器中的高效率同步整流或半桥/全桥开关； - 服务器与通信电源：在48V输入的POL（Point-of-Load）转换器、VRM（电压调节模块）中用作高效主开关或OR-ing器件； - 电池管理系统（BMS）：支持大电流充放电路径控制与保护功能（如主动均衡开关、预充电/放电回路）。 该器件具备强抗雪崩能力、快速开关特性（tfall ≈ 25 ns）及优化的栅极电荷（Qg ≈ 67 nC），兼顾效率与EMI表现，适用于高频、高功率密度设计。需配合合理PCB布局、散热设计及驱动电路（如匹配栅极电阻）以发挥最佳性能。
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