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- 型号： IPB034N06N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB034N06N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB034N06N3G价格参考。InfineonIPB034N06N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB034N06N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB034N06N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB034N06N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装（即改进型SO-8），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.4 mΩ @ VGS = 10 V）、60 V耐压、高电流能力（ID可达120 A）及优异的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电动座椅/车窗驱动、LED前照灯调光控制、电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关；符合AEC-Q101认证，满足严苛车规级可靠性要求。 ✅ 工业电源与电机驱动：适用于中功率伺服驱动器、BLDC电机控制器、UPS逆变模块及工业开关电源（如通信基站电源、PLC电源）的同步整流与主开关。 ✅ 服务器与数据中心电源：在48 V输入的POL（负载点）转换器、VRM（电压调节模块）中作为高效高密度功率开关，助力提升能效（符合80 PLUS Titanium标准）。 ✅ 消费类高可靠性设备：如高端游戏电源、固态硬盘（SSD）电源管理、无人机电调（ESC）等对效率、温升和瞬态响应要求严苛的场景。 该器件集成优化的栅极电荷（Qg ≈ 55 nC）与低反向恢复电荷（Qrr），配合英飞凌CoolMOS™技术演进，显著降低开关损耗，支持高频（100 kHz以上）工作，兼顾效率与小型化设计需求。
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