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- 型号： IPA50R399CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R399CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R399CP价格参考。InfineonIPA50R399CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA50R399CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA50R399CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA50R399CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，典型导通电阻RDS(on)为399 mΩ（VGS=10V），具备低开关损耗、优异的硬换流鲁棒性及优化的Eoss（输出电容能量），适用于高效率、高功率密度的中高功率开关应用。 典型应用场景包括： 🔹 服务器与通信电源：用于AC-DC PFC（功率因数校正）级和LLC谐振变换器的主开关，提升能效并满足80 PLUS Titanium/Platinum标准； 🔹 工业电源与UPS系统：在1–3 kW不间断电源、可编程电源及电机驱动辅助电源中，提供可靠、高效的高频（65–150 kHz）硬开关性能； 🔹 光伏逆变器：适用于组串式逆变器的DC-DC升压级或隔离型拓扑（如双有源桥DAB），支持宽输入电压范围与高温稳定运行； 🔹 家电与高端适配器：如大功率LED驱动电源、变频空调PFC模块等，兼顾EMI性能与热管理需求。 该器件支持零电压开关（ZVS）友好设计，配合英飞凌驱动IC（如1EDN/1EDS系列）可进一步优化系统效率与可靠性。其增强型体二极管特性（软恢复、低Qrr）显著降低反向恢复应力，延长系统寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 9A TO220-3MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.399 Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA50R399CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA50R399CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42db9b348d3 |
| 产品型号 | IPA50R399CP |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 399 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 399 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 330µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 399 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-FP |
| 其它名称 | IPA50R399CPXKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 399 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
| 系列 | IPA50R399 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPA50R399CPXKSA1 SP000234987 |
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