ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > NTJD4152PT1
Datasheet下载- 型号： NTJD4152PT1
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4152PT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4152PT1价格参考。ON SemiconductorNTJD4152PT1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 880mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4152PT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD4152PT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTJD4152PT1是一款P沟道增强型MOSFET阵列，内含两个独立的P沟道MOSFET，采用SOT-563（SC-88）小型封装，适用于空间受限的便携式设备。该器件主要应用于需要低功耗、高效率开关控制的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现对不同模块的上电时序管理与节能控制。 2. 信号切换：在模拟或数字信号路径中作为开关使用，例如音频路由、传感器使能控制等。 3. 电平转换电路：配合N沟道MOSFET构建无源电平转换器，用于不同电压域之间的逻辑信号转换，常见于I²C、GPIO等接口通信中。 4. LED背光驱动：在小尺寸显示屏中用于控制LED背光的开启与关闭。 5. 便携设备中的热插拔保护：防止带电插拔引起的电流冲击。 NTJD4152PT1具有低阈值电压（典型-0.9V）、低导通电阻（约0.17Ω）和低漏电流特性，适合低电压（1.8V至5V）系统，支持节能设计。其双通道结构提高了集成度，节省PCB空间，广泛应用于消费电子、工业控制和通信模块中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJD4152PT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 155pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 260 毫欧 @ 880mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 272mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 880mA |
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