Datasheet下载- 型号： IPA50R350CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R350CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R350CP价格参考。InfineonIPA50R350CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA50R350CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA50R350CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA50R350CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V CoolMOS™ CP系列单片双N沟道高压功率MOSFET阵列（集成两个独立但共源极的MOSFET），采用PG-TO252-4封装。其典型导通电阻RDS(on)为350mΩ（最大值），具备低开关损耗、优化的体二极管特性及良好EMI性能。 主要应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源（SMPS）：如服务器/通信设备AC-DC适配器、工业电源中的LLC谐振变换器或准谐振反激拓扑，双管结构便于实现半桥或同步整流配置； ✅ 电机驱动与控制：适用于100–500W级无刷直流（BLDC）电机驱动模块，尤其在需紧凑布局和成本敏感的家电（如变频空调风机、水泵）、电动工具控制板中； ✅ LED照明驱动：用于高效率、高功率因数（PFC+PWM）的智能LED驱动电源，双MOSFET可分别承担PFC升压开关与DC-DC调光级功能； ✅ 工业自动化辅助电源与隔离栅极驱动供电：作为隔离DC-DC转换器的主开关器件，满足UL/IEC安全隔离要求。 该器件不适用于高频硬开关（>200kHz）或大电流单管应用（推荐单管替代型号如IPA60R190C6），但凭借CoolMOS™技术，在效率、温升与可靠性间取得良好平衡，适合对能效等级（如80 PLUS Titanium）、体积与长期稳定性有要求的中端工业与消费类电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3MOSFET COOL MOS PWR TRANS 500V 0.350 Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA50R350CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA50R350CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42db39548cb |
| 产品型号 | IPA50R350CP |
| Pd-PowerDissipation | 32 W |
| Pd-功率耗散 | 32 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 370µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1020pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-FP |
| 其它名称 | IPA50R350CPXKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 32W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | IPA50R350 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPA50R350CPXKSA1 SP000236078 |
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