【未分类_IGTH20N50A】封装/厂家_IGTH20N50A中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IGTH20N50A
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IGTH20N50A由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGTH20N50A价格参考。HarrisIGTH20N50A封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IGTH20N50A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IGTH20N50A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IGTH20N50A 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（注意：该型号并非双极型晶体管BJT，而是MOSFET；名称中“IGTH”易被误读为IGBT，实为ST的MOSFET系列代号），其额定参数为20A、500V、RDS(on) ≈ 0.22Ω（典型值）。虽用户归类为“BJT-单个”，但需明确纠正：IGTH20N50A属于场效应晶体管（MOSFET），非双极结型晶体管（BJT）。

其典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）中的主开关管，适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等；  
✅ DC-DC升压/降压转换器（如PFC前级或主功率级），利用其高速开关特性（纳秒级开关时间）与低导通损耗；  
✅ 工业控制中的电机驱动电路（中小功率直流电机或步进电机H桥上臂）；  
✅ 不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器等中等功率能量变换系统。

优势在于高电压耐受（500V）、足够电流能力（20A连续）、内置快速恢复体二极管，以及TO-247封装带来的良好散热性能。使用时需注意栅极驱动电压（10–15V推荐）、避免米勒平台误导通，并配合合适的RC缓冲电路抑制电压尖峰。

⚠️ 注意：若实际设计需用BJT（如达林顿或高速开关三极管），应选用如BU508A、MJE13009等对应型号，不可直接替代。选型务必以官方数据手册（ST’s IGTH20N50A Datasheet）为准。

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