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产品简介:
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IDT71024S20YI 是由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为256K位(32K x 8),采用高速CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特点。 该芯片主要应用于需要高速数据存取和可靠存储性能的场景,常见应用包括: 1. 通信设备:如路由器、交换机等网络设备中的缓存存储,用于临时存储数据包或路由表信息,提升数据处理效率。 2. 工业控制:用于工业自动化系统中的控制器或嵌入式系统,作为程序存储或高速数据缓存,保障系统实时响应能力。 3. 测试测量仪器:在示波器、逻辑分析仪等仪器中用于高速数据采集与临时存储,满足实时分析需求。 4. 医疗设备:如成像设备或监护系统中,用于图像缓存或关键数据的临时存储。 5. 航空航天与车载系统:在高可靠性要求的环境中,作为高速缓冲存储器使用,确保系统稳定运行。 该SRAM芯片具有工业级温度范围(-40℃至+85℃),适用于较严苛的工作环境,具备良好的稳定性和耐用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71024-data-sheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71024S20YI |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-SOJ |
| 其它名称 | 71024S20YI |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 封装/外壳 | 32-BSOJ |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 23 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 20ns |