Datasheet下载- 型号： IDT71016S20YI
- 制造商： Integrated Device Technology
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IDT71016S20YI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDT71016S20YI价格参考。Integrated Device TechnologyIDT71016S20YI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IDT71016S20YI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IDT71016S20YI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT71016S20YI 是由 Integrated Device Technology Inc（IDT）生产的一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速存储器器件。该芯片主要应用于对数据存取速度有较高要求的电子系统中。 其典型应用场景包括： 1. 高速缓存存储器：用于处理器或控制器系统中作为高速缓存，提升系统运行效率，适用于通信设备、工业控制设备和网络设备等。 2. 网络与通信设备：如路由器、交换机等，用于临时存储数据包或转发信息，满足高速数据传输需求。 3. 测试测量仪器：在高精度测试设备中作为临时数据存储单元，支持快速数据采集与处理。 4. 工业自动化系统：用于PLC（可编程逻辑控制器）或嵌入式控制系统中，提供快速可靠的数据存储支持。 5. 医疗电子设备：如成像设备、监测仪器等，用于临时存储采集到的信号或图像数据。 该芯片具有高速访问时间（20ns）、低功耗、CMOS工艺等特性，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃），具备良好的稳定性和可靠性，适合在复杂环境中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71016-data-sheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71016S20YI |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-SOJ |
| 其它名称 | 71016S20YI |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M （64K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-BSOJ |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 16 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 20ns |
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