【未分类_HZ3B3-E】封装/厂家_HZ3B3-E中文资料_价格

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型号： HZ3B3-E
制造商： RENESAS ELECTRONICS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HZ3B3-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZ3B3-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHZ3B3-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HZ3B3-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HZ3B3-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZ3B3-E 是一款由日本公司（如日立/瑞萨前身）生产的玻璃封装硅齐纳二极管，标称稳压值为3.3 V（典型值），容差约±5%，最大功率约250 mW。其小型DO-35（或类似）玻璃封装、低动态阻抗和良好温度稳定性，使其适用于对精度与成本敏感的低压基准与保护场景。

主要应用场景包括：  
1. 低电压基准源：为传感器信号调理电路、ADC参考电压或简易LDO反馈网络提供稳定3.3 V基准；  
2. 过压钳位与ESD防护：并联于IC电源引脚（如MCU I/O口、模拟前端），吸收瞬态浪涌或静电放电能量，防止后级器件损坏；  
3. 电源稳压辅助：在电池供电设备（如遥控器、IoT节点）中，为低功耗逻辑电路提供粗略稳压，替代更复杂的稳压IC以降低成本与PCB面积；  
4. 波形整形与限幅：在模拟信号通路中作双向限幅器（配合反向二极管），实现±3.3 V电平约束。

注意：该器件未内置限流电阻，实际使用需串联适当阻值的限流电阻（如1–10 kΩ），以防过流失效；且不适用于大电流或高精度（<1%）稳压场合。因其停产已久，现多用于维修替换或对BOM兼容性要求高的老产品中。

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