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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HZ3B1RE-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZ3B1RE-E价格参考。RNSHZ3B1RE-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZ3B1RE-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZ3B1RE-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HZ3B1RE-E 是一款由日本公司(如ROHM或早期松下)生产的硅齐纳二极管,标称稳压值为3.1 V(典型值),功率约200 mW,采用小型玻璃封装(如DO-35),具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其主要应用场景包括: 1. 低电压基准源:为模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考电压)提供稳定3.1 V基准,尤其适用于对成本与尺寸敏感的便携式设备; 2. 过压保护与箝位:在3 V系统(如MCU I/O端口、逻辑电平接口)中,与限流电阻配合,将瞬态电压箝位于3.1 V左右,防止后级器件过压损坏; 3. 电源稳压/辅助稳压:在低压线性稳压器(LDO)的反馈网络或简单分立稳压电路中,作为精密电压设定元件; 4. 波形整形与限幅:在音频或通信小信号通路中实现对称/不对称限幅,利用其反向击穿特性控制信号幅度。 该器件因体积小、响应快、成本低,广泛用于消费电子(遥控器、玩具、LED驱动)、工业控制板及汽车电子中的辅助电路中。需注意:实际应用中应严格限制工作电流(通常≤20 mA),并考虑温度系数(约−1.5 mV/°C)对精度的影响。