【未分类_HVD369BKRF-E】封装/厂家_HVD369BKRF-E中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HVD369BKRF-E
制造商： RNS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HVD369BKRF-E由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVD369BKRF-E价格参考。RNSHVD369BKRF-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HVD369BKRF-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HVD369BKRF-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HVD369BKRF-E 是一款由 Vishay（威世）生产的高性能硅超突变结可变电容二极管（Varactor Diode），专为射频调谐应用优化。其典型应用场景包括：

1. 电压控制振荡器（VCO）：凭借高Q值、低相位噪声及优异的C-V线性度（超突变结设计），广泛用于无线通信系统（如5G基站、Wi-Fi 6/7射频前端、蓝牙模块）中的频率合成与本地振荡器调谐。

2. 电子调谐滤波器（ETF）与预选器：在接收机前端，用于动态调整带通滤波器中心频率，实现多频段兼容（如L/S/C波段雷达、软件定义无线电SDR），提升抗干扰能力。

3. 自动频率控制（AFC）与锁相环（PLL）回路：作为压控元件，配合环路滤波器实现频率精调与温漂补偿，常见于卫星通信终端和高稳定性射频收发器。

4. 高频匹配网络调谐：在天线调谐器或功率放大器输出匹配电路中，通过直流偏置电压实时调节容值，优化阻抗匹配与功率传输效率（尤其适用于多模多频手机/物联网终端）。

该器件支持高达1.5 GHz工作频率，反向击穿电压典型值16 V，结电容变化范围约2.5–25 pF（0–12 V），封装为超小型SOD-323（SC-76），适合高密度PCB布局。需注意其需工作在反向偏置状态，避免正向导通，并配合低噪声偏置电路以抑制调谐噪声。

产品参数图文手册常见问题