Datasheet下载- 型号： HUFA76609D3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76609D3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76609D3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76609D3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA76609D3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA76609D3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA76609D3S 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK（TO-252）封装，具备低导通电阻（Rds(on) 典型值 14 mΩ @ Vgs=10V）、高雪崩耐量及优良热性能。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、服务器 PSU 的同步整流与主开关电路，提升转换效率； - DC-DC 转换器：适用于 POL（Point-of-Load）模块、车载 DC-DC 变换器（如 12V→5V/3.3V），支持高频开关（可达数百 kHz），减小磁性元件体积； - 电机驱动：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的 H 桥驱动单元，提供快速开关与低功耗； - LED 驱动与照明系统：在智能调光驱动、汽车 LED 头灯恒流控制中承担 PWM 开关功能； - 工业控制与电源管理：如 PLC 输出模块、继电器替代、电池保护电路中的充放电开关等。 该器件具有 100V 耐压、75A 峰值脉冲电流能力，内置 ESD 保护，并通过 AEC-Q101 认证（部分批次），亦适用于汽车电子辅助系统（如车身控制、风扇驱动）。其 DPAK 封装兼顾散热性与贴片工艺兼容性，适合高密度 PCB 设计。注意：实际应用中需配合合理栅极驱动（推荐驱动电压 ≥8V）、PCB 散热设计及过压/过流保护措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76609D3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 425pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 49W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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