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产品简介:
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HUFA76445P3 是安森美(onsemi)推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET(采用 TO-247 封装),具有 500V 耐压、29A 连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.135Ω @ Vgs=10V)及快速开关特性。其典型应用场景包括: - 工业电源与开关电源(SMPS):适用于 AC-DC 适配器、服务器电源、通信电源中的主开关管或同步整流管,尤其适合硬开关或准谐振(QR)拓扑。 - 电机驱动系统:用于中小功率 BLDC 电机控制器(如风机、水泵、电动工具)的逆变桥臂,凭借高雪崩耐量(UIS 额定)和热稳定性,可承受感性负载关断时的电压尖峰。 - LED 驱动电源:在高功率 LED 恒流驱动电路中作为 PWM 开关器件,支持调光控制与高效率(>92%)运行。 - 不间断电源(UPS)与光伏逆变器辅助电路:适用于 DC-DC 升压/降压级、旁路开关或电池管理系统的充放电控制。 该器件具备良好的 dv/dt 抗扰能力、内置体二极管(反向恢复特性优化),且通过 AEC-Q101 认证(部分批次),亦可用于车载充电机(OBC)等车规级边缘应用(需确认具体版本)。使用时建议配合合适栅极驱动(如 12–15V 驱动电压)与散热设计,以发挥其高频、高效率优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUFA76445P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4965pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |