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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA76419S3ST 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有 200V 耐压、18A 连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.18Ω @ Vgs=10V)及快速开关特性。其典型应用场景包括: - 开关电源(SMPS):常用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或同步整流管; - DC-DC 转换器:适用于工业与通信设备中的降压(Buck)或隔离式拓扑(如反激、正激)的功率开关; - 电机控制:用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的 H 桥上/下臂开关元件; - 电池管理系统(BMS):作为充放电保护回路中的主控 MOSFET,支持过流/短路保护; - 照明电子镇流器与固态继电器(SSR):凭借高雪崩耐受能力(UIS rated),适合感性负载切换。 该器件具备良好的热稳定性和抗雪崩能力,适用于中等功率、中频(数十kHz 至百kHz 级)开关场合,广泛应用于工业控制、消费电子、电信电源及汽车售后(非车载安全关键系统)等领域。注意:非 AEC-Q101 认证,不推荐用于车规级核心动力系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUFA76419S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 29A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A (Tc) |