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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA76419D3S 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET(采用 TO-220AB 封装),具有 600 V 耐压、18 A 连续漏极电流(Tc=25°C)及典型导通电阻 Rds(on) ≈ 0.22 Ω。其高耐压、中等电流与较低导通损耗特性,使其适用于中高频开关电源场景。 典型应用场景包括: ✅ AC-DC 开关电源:如通用适配器、LED 驱动电源、工业电源中的主开关管(工作于 50–100 kHz),可替代传统双极型晶体管,提升效率; ✅ PFC(功率因数校正)电路:在升压型 PFC 拓扑中作为主开关器件,支持连续导通模式(CCM),满足能效标准(如 ENERGY STAR、IEC 61000-3-2); ✅ 电机控制与驱动:用于中小功率无刷直流(BLDC)电机控制器、家电(如空调压缩机、洗衣机驱动)的半桥/全桥上管; ✅ 逆变器与UPS系统:在离线式不间断电源或光伏微逆变器的 DC-AC 级中承担高频开关任务; ✅ 工业控制与照明:如高压 LED 恒流驱动、电磁阀/继电器驱动模块等需隔离与快速开关的场合。 该器件内置快速恢复体二极管(带反并联二极管),具备一定抗雪崩能力(UIS Rated),适合硬开关应用;但不推荐用于极高频率(>200 kHz)或零电压开关(ZVS)等软开关拓扑,需配合合理驱动与散热设计。综上,HUFA76419D3S 主要面向对可靠性、成本与性能平衡要求较高的中功率工业与消费类电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUFA76419D3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 37 毫欧 @ 20A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |