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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA75344G3 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET,采用 TO-247 封装,具有 500V 耐压、14A 连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.28Ω)及快速开关特性。其主要应用场景包括: - 开关电源(SMPS):适用于 AC-DC 适配器、PC 电源、工业电源中的主开关管或PFC(功率因数校正)升压开关; - 电机驱动:用于中小功率直流电机、步进电机或风机的H桥/半桥驱动电路; - 照明电子:LED 驱动电源(特别是高亮度LED路灯、工矿灯等需高压隔离与高效调光的场合); - 逆变器与UPS系统:作为 DC-AC 逆变环节的功率开关器件,支持中频切换; - 工业控制与电源模块:如PLC输出级、继电器替代、固态开关等需要高可靠性与雪崩耐受能力的场景。 该器件具备强健的 UIS(非钳位感性开关)能力与良好的热稳定性,适合在高温、高电压、中等频率(数十kHz至百kHz级)下可靠工作,广泛应用于工业、通信电源及通用功率转换领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75344G3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 285W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 300 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |