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- 型号： HUF76645P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76645P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76645P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76645P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76645P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76645P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76645P3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.028Ω @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=60A）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于开关电源（SMPS）、同步整流、Buck/Boost变换器等，提升效率并减小热损耗； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或单边驱动电路，支持高频PWM调速； 3. 负载开关与电源管理：在工业控制、服务器电源、LED驱动电源中用作高效电子开关，实现上电时序控制或过流保护； 4. 逆变器与UPS系统：作为功率级开关器件，参与DC/AC能量转换； 5. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：HUF76645P3为工业级，非车规；若需车规应用，应选用ON Semiconductor对应AEC-Q101认证型号，如NVHLxxx系列），故更常用于工业/消费类设备。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），增强系统鲁棒性；但设计时需注意栅极驱动电压匹配（推荐10V驱动）、PCB散热设计及寄生电感抑制，以保障开关性能与长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76645P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 153nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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