Datasheet下载- 型号： HUF76013D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76013D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76013D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76013D3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76013D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76013D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76013D3ST 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=48A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源、同步整流BUCK/BOOST转换器的主开关或续流管，提升效率并减小温升； • 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥上下臂开关，支持PWM调速与正反转控制； • 负载开关与电源管理：在工业控制板、嵌入式系统中用作高效、低损耗的电源通断控制（如USB供电开关、电池保护电路）； • LED驱动与照明电源：用于恒流驱动电路的开关元件，满足高可靠性与热稳定性要求； • 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（BCM）、座椅调节、风扇控制等非安全关键应用。 该器件具备良好的雪崩耐受能力与ESD防护，适合在中频（数十kHz至数百kHz）开关频率下工作，兼顾效率与成本，是通用型中功率开关的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76013D3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 624pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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