Datasheet下载- 型号： HUF75631P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75631P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75631P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75631P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75631P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75631P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75631P3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）及优良的开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、降压（Buck）转换器主开关管，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥高边/低边开关，支持PWM调速； 3. 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控板卡中作为热插拔保护、电源轨切换或电池供电系统的主控开关； 4. 逆变器与UPS系统：在中小功率离线式逆变器中用作输出级功率开关，配合驱动IC实现高效能量转换； 5. LED驱动电源：用于恒流LED驱动的初级侧开关或调光控制回路。 该器件具备雪崩耐量（UIS额定），可靠性高，适合中高频（≤100kHz）硬开关应用。需注意合理设计栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）、PCB散热（加装散热片）及过流/过热保护电路以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75631P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 33A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
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