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- 型号： HUF75339G3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75339G3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75339G3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75339G3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75339G3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75339G3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75339G3 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型功率MOSFET（单管），采用TO-247封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约12.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A连续，脉冲达280A）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器（如Buck、Boost拓扑）的主开关或同步整流，提升效率与功率密度； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM控制； - 逆变器与UPS系统：作为DC/AC逆变级的功率开关，配合快速体二极管实现高效能量回馈； - 工业电源与电焊设备：在高电流、中等电压（Vds=55V）工况下稳定工作，具备良好的雪崩耐受能力； - 电池管理系统（BMS）保护电路：用于充放电主回路的高侧/低侧保护开关，响应快、损耗低。 该器件设计注重热性能与可靠性，适合需高效率、高功率密度及稳健过载能力的中压（≤55V）电力电子应用。注意实际使用中需合理设计驱动电路（确保足够栅极驱动电压与电流）及散热方案（如匹配散热器）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75339G3 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 300 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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