图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： HUF75329S3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75329S3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75329S3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75329S3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75329S3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75329S3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75329S3 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.008 Ω @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）和耐压达 30 V 的特性。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：广泛用于同步整流 Buck/Boost 转换器中，作为主开关管或续流管，提升效率并降低温升； - 电机驱动电路：适用于中小功率直流电机、步进电机的 H 桥驱动模块，支持高频 PWM 控制（典型开关频率可达 100 kHz 以上）； - 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护开关或负载开关，配合保护 IC 实现过流、短路切断功能； - 工业电源与电子负载：在开关电源次级侧、LED 恒流驱动、可编程电子负载等场合承担大电流通断任务； - 汽车电子辅助系统：如车窗升降、座椅调节、风扇控制等 12 V 系统中的功率开关（需满足 AEC-Q101 可靠性要求，但注意：HUF75329S3 为标准工业级，非车规，实际车载应用需确认具体版本及认证状态）。 该器件具备良好的雪崩耐量与热稳定性，适合中高功率、中低压（≤30 V）的高效开关场景，但不适用于高压（如 >60 V）或高频射频应用。设计时需注意栅极驱动强度（避免米勒效应误导通）及散热设计（TO-220 封装需配合适当散热器）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75329S3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 49A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 49A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
HUF75329S3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商