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- 型号： HUF75309D3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75309D3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75309D3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75309D3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75309D3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75309D3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75309D3S 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.008 Ω @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）和耐压达60 V（VDS = 60 V）等特点。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于开关电源（SMPS）、同步整流、POL（Point-of-Load）模块中，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动电路（如电动工具、风扇、家用电器控制）； 3. 电池管理系统（BMS）：用作充放电主回路的功率开关或保护电路中的电子保险丝（e-Fuse），支持大电流快速响应； 4. LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动器或调光电路中作为PWM开关元件； 5. 工业与汽车电子：如车载DC/DC转换器、车身控制模块（BCM）负载开关、继电器替代方案等（符合AEC-Q101可靠性标准，具备一定车规适用性）。 该器件具备雪崩额定能力、低栅极电荷（Qg ≈ 95 nC）及优化的体二极管特性，适合高频（数十kHz至百kHz级）硬开关应用，兼顾效率与热稳定性。设计时需注意PCB散热设计与驱动电路匹配（推荐10–12 V驱动电压以确保充分增强）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 19A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75309D3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
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