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- 型号： HM4-6516B
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HM4-6516B由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HM4-6516B价格参考。HarrisHM4-6516B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HM4-6516B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HM4-6516B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HM4-6516B 是 Harris Corporation（哈里斯公司）于20世纪70年代末至80年代初推出的双极型高速静态随机存取存储器（SRAM），容量为2K×8位（即2048字节），采用NMOS工艺，典型存取时间约35–55 ns，工作电压为+5V。 该芯片主要面向对速度和可靠性要求较高的工业与军用嵌入式系统。典型应用场景包括： - 军用通信与雷达设备：作为实时信号处理单元的缓存或暂存器，用于数据缓冲、指令暂存及状态寄存器扩展； - 航天电子系统：因Harris具备抗辐射加固（Rad-Hard）衍生型号能力，部分版本用于卫星星载计算机的本地内存； - 高端工业控制器与测试仪器：如自动测试设备（ATE）、数控系统（CNC）中作为CPU（如Z80、8085）的高速片外RAM，提升中断响应与I/O吞吐效率； - 早期专业工作站与图形终端：用于帧缓冲（frame buffer）或字符生成器（CGROM）配套RAM，支持高刷新率显示。 需注意：HM4-6516B已停产多年，属经典老器件，当前仅见于老旧设备维保、历史系统复原或收藏领域，不再用于新设计。其应用强调确定性时序与宽温/高可靠性，而非大容量或低功耗。
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