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  • 型号: HM3-6551B-9
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HM3-6551B-9由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HM3-6551B-9价格参考。HarrisHM3-6551B-9封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HM3-6551B-9参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HM3-6551B-9 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HM3-6551B-9 是哈里斯公司(Harris Corporation)于20世纪70年代末至80年代初推出的双极型高速静态RAM(SRAM),容量为1K×4位(即4Kbit),存取时间典型值为9ns,采用双列直插封装(DIP)。该芯片基于肖特基TTL工艺,具备高可靠性、宽温度范围(军用级-55℃~+125℃)和抗辐射特性,符合当时军用/航天标准。

其主要应用场景集中于对速度、稳定性和环境适应性要求严苛的领域:  
1. 军用电子系统:如雷达信号处理单元、火控计算机、战术通信设备的缓存与暂存器;  
2. 航空航天设备:早期卫星星载计算机、航天器遥测数据缓冲、惯性导航系统的实时数据暂存;  
3. 工业控制与测试仪器:高精度ATE(自动测试设备)、实时数字信号采集前端的高速暂存;  
4. 高端嵌入式系统:如早期军用或工业级微处理器(如Motorola 68000、Intel 8086)的高速本地存储扩展。

需注意:该型号早已停产(约1990年代初退出主流市场),当前仅见于老旧装备的维修备件或历史技术研究。现代应用中已被CMOS低功耗、大容量SDRAM/DDR及嵌入式SRAM全面替代。
产品参数 图文手册 常见问题
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