【未分类_HGTP10N50E1】封装/厂家_HGTP10N50E1中文资料_价格

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型号： HGTP10N50E1
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP10N50E1由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP10N50E1价格参考。HarrisHGTP10N50E1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP10N50E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP10N50E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP10N50E1 是 Harris Corporation（现已被 Exar 公司收购，后并入 MaxLinear）推出的一款 500V、10A 的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（非 IGBT），采用 TO-220 封装，具备低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.55Ω）、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力。

其典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或PFC 升压开关；  
- DC-DC 变换器：在工业/通信设备中作为中等功率 DC-DC 模块的高频开关器件（工作频率可达 100–500 kHz）；  
- 电机控制：适用于小功率直流无刷电机（BLDC）驱动的上/下桥臂开关，如电动工具、风扇、泵类控制器；  
- 照明电子镇流器与智能LED驱动：支持调光与恒流控制，满足高效率、低EMI要求；  
- 逆变器辅助电路：在中小功率光伏微逆或UPS系统中用作辅助电源或隔离驱动级开关。

需注意：该器件为标准MOSFET（非IGBT），不适用于超高压大电流硬开关场景（如>1kW工频逆变主开关）；设计时应重视栅极驱动（推荐±15V驱动电压）、PCB散热及dV/dt抗干扰布局。目前已停产，替代型号可参考 Vishay SiHF10N50C 或 STP10NK50ZFP 等兼容参数器件。

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