【未分类_HGTP10N40C1】封装/厂家_HGTP10N40C1中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HGTP10N40C1
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP10N40C1由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP10N40C1价格参考。HarrisHGTP10N40C1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP10N40C1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP10N40C1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP10N40C1 是 Harris Corporation（现已被Exar收购，后并入Maxim Integrated，最终归属Analog Devices）推出的一款分立式N沟道增强型功率MOSFET（非IGBT），采用TO-220封装，额定参数为：耐压400V、连续漏极电流10A（Tc=25℃）、Rds(on)典型值0.45Ω，具备快速开关特性与内置续流二极管。

其典型应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、PC电源、工业电源的主开关或PFC（功率因数校正）级，兼顾效率与成本；  
2. 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动单元，尤其在12–48V系统中控制风扇、泵、小型自动化设备；  
3. 照明电子镇流器与LED驱动：在高频调光/恒流电路中作PWM开关元件；  
4. 逆变器与UPS模块：用于低压直流输入（如24V/48V）至交流输出的中小容量离线式逆变器；  
5. 电焊机与电池管理系统（BMS）保护电路：承担过流切断、电池充放电开关等中速、中功率切换任务。

需注意：该器件为传统高压MOSFET，非IGBT（原问题中“UBGT”应为笔误），不适用于极高电压（>600V）或超大电流（>30A）场景；设计时应重视栅极驱动强度、散热设计及SOA（安全工作区）裕量。目前已停产，多被新一代低Qg、低Rds(on)的Super Junction MOSFET替代，但仍在部分工业维修与兼容性要求高的老平台中使用。

产品参数图文手册常见问题