【未分类_HGTH12N50C1D】封装/厂家_HGTH12N50C1D中文资料_价格

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型号： HGTH12N50C1D
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH12N50C1D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH12N50C1D价格参考。HarrisHGTH12N50C1D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTH12N50C1D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTH12N50C1D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTH12N50C1D 是安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247AD封装，额定电压500V、连续漏极电流12A，内置快速恢复体二极管（“D”后缀标识），具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.48Ω）和优异的开关性能。

其典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、LED驱动电源中的PFC（功率因数校正）升压电路及主功率开关级；  
- 工业电机驱动：用于中小功率变频器、伺服驱动器的逆变桥上桥臂或高频斩波控制；  
- 新能源系统：在光伏微型逆变器、储能系统DC-DC变换器中承担高频硬开关任务；  
- 电磁加热与感应加热设备：满足ZVS/ZCS软开关拓扑对器件体二极管反向恢复特性的严苛要求（该型号体二极管Qrr低、trr短，抗dv/dt能力强）；  
- 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级实现高效、高可靠性能量转换。

需注意：该器件为单N沟道增强型MOSFET，非IGBT（名称中“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”属平台分类标签误差，实际产品类型应以官方规格书为准）。设计时建议配合优化栅极驱动（如负压关断）、合理布局散热，并利用其内置二极管特性简化同步整流或续流回路。

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